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Rohm
RQ3E130MNTB1
  • 制造商:Rohm (中文名:罗姆)
  • 标准封装:8-HSMT
  • 基本功能:MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  • (专注销售Rohm电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:RQ3E130MNTB1
    制造商:Rohm Semiconductor
    描述:MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
    系列:-
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:逻辑电平门
    漏源极电压 (Vdss):30V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.1 毫欧 @ 13A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):840pF @ 15V
    功率 - 最大值:2W
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:8-PowerVDFN
    供应商器件封装:8-HSMT(3.2x3)

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