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QS8M51HZGTR供应商
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QS8M51HZGTR
- 制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:TSMT8
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
- （专注销售ROHM电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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QS8M51HZGTR参数详情：
- 型号:QS8M51HZGTR
- 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
- 封装:TSMT8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta），1.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:325 毫欧 @ 2A，10V，470 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7nC @ 5V，17nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 25V，950pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.1W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装:TSMT8
- QS8M51HZGTR的官网价格：1:$1.55000|3000:$0.40576，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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