RQ7E110AJTCR
制造厂商:ROHM(中文名:罗姆)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TSMT8
技术参数:MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
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参数详情:
制造商产品型号:RQ7E110AJTCR制造商:Rohm Semiconductor(罗姆半导体)描述:MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9 毫欧 @ 4.5A,11V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 10mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2410pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):1.5W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TSMT8RQ7E110AJTCR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。