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RS6G100BGTB1供应商
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RS6G100BGTB1
- 制造厂商：ROHM（中文名：罗姆）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-HSOP
- 技术参数：NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
- （专注销售ROHM电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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RS6G100BGTB1参数详情：
- 型号:RS6G100BGTB1
- 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
- 封装:8-HSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），59W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-HSOP
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- RS6G100BGTB1的官网价格：1:$2.65000|2500:$0.78008，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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